تبلیغات
danesh1 - نیمه هادی نوع p,n
درباره وبلاگ

آرشیو

آخرین پستها

پیوندها

پیوندهای روزانه

صفحات جانبی

نویسندگان

ابر برچسبها

نظرسنجی

آمار وبلاگ

Admin Logo
themebox

نیمه هادی نوع p,n

   ناخالص کردن نیمه هادی با اتم های 5ظرفیتی:

اگر یک جسم 5ظرفیتی مانند آرسنیک(As) به سیلسیم (Si) و یا ژرمانیوم (Ge) اضافه کنیم 4

الکترون مدار آخر آرسنیک با 4 اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیوم تشکیل پیوند اشتراکی داده الکترون

پنجم آن به صورت آزاد باقی می ماند. بنابراین هر اتم آرسنیک یک الکترون اضافه تولید می کند

 بدون اینکه حفره ای تولید کند. پس می توان با تنظیم ناخالصی تعداد الکترون آزاد را کنترل نمود در

این نوع نیمه هادی ناخالص شده تعداد الکترون های آزاد به مراتب بیشتر از حفره ها می باشند و

 حفره ها فقط بر اثر شکستن پیوند ها بوجود می آیند.

نیمه هادی هایی که ناخالصی های آن از اتم های 5ظرفیتی باشد،نیمه هادی نوع(N) و علامت N به

دلیل وجود بار منفی ناشی از وجود الکترون های ازاد قرار داده شده است.

در نیمه هادی این نوع چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره ها است و عمل هدایت

جریان را نیز انجام می دهند به آنها حامل های اکثریت و به حفره ها حامل های اقلیت

می گویند.

   ناخالص کردن شبکه نیمه هادی  با اتم 3ظرفیتی:

 

اگر یک عنصر 3ظرفیتی مانند آلمینیوم(Al) به سلسیم یا ژرمانیوم اضافه شود 3 الکترون مدار آخر

آلمینیوم با 3الکترون اتم های سیلسیم یا ژرمانیوم مجاور تشکیل پیوند اشتراکی می دهندو پیوند چهارم

 دارای کمبود الکترون است  ویا میتوان گفت یک حفره ایجاد شده است.

 در این نیمه هادی ناخالص شده الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها به وجود می آید و تعداد

 حفره های ایجاد شده را می توان با تغییر درصد ترکیب ناخالصی کنترل نمود . نیمه هادی هایی که

ناخالصی آنها از اتم های 3ظرفیتی باشند نوع (P) نامیده می شوند.علامت P به دلیل وجود بارهای

 مثبت حفره ها می باشد.

دراین نیمه هادی حفره ها حامل های اکثریت و الکترون ها حامل های اقلیت می باشند.



نوشته شده توسط :mahboobeh eravani
چهارشنبه 7 اردیبهشت 1390-10:31 ب.ظ